Samsung uspješno razvio prve 8Gb LPDDR5 memorijske čipove

 

Samsung Electronics, svjetski lider u naprednoj memorijskoj tehnologiji, objavio je da je uspješno razvio prvu industrijsku 10-nanometarsku (nm) klasu* 8-gigabit (Gb) LPDDR5 DRAM. Novo razvijen 8Gb LPDDR5 je najnoviji dodatak Samsungovoj premijskoj DRAM liniji koja uključuje 10nm klasu 16Gb GDDR6 DRAM-a (u proizvodnji obima od decembra 2017) i 16Gb DDR5 DRAM-a (razvijen u februaru).

“Ovaj razvoj 8Gb LPDDR5 predstavlja veliki korak naprijed za rješenja za mobilnu memoriju s niskom snagom”, rekao je Jinman Han, viši potpredsjednik kompanije Memory Electronics Product Planning & Application Engineering u Samsung Electronics.

8Gb LPDDR5 ima brzinu prenosa podataka do 6,400 megabita u sekundi (Mb/s), što je 1,5 puta brže od mobilnih DRAM čipova koji se koriste u trenutnim vodećim mobilnim uređajima (LPDDR4X, 4266Mb/s). Sa povećanom brzinom prenosa, novi LPDDR5 može poslati 51,2 gigabajta (GB) podataka, ili približno 14 full-HD video datoteka (po 3.7GB svaki), u sekundi.

Da bi se maksimalno uštedjela energije, LPDDR5 10nm klase je projektovan da smanji svoj napon u skladu sa radnom brzinom odgovarajućeg procesora primjene, kada je u aktivnom režimu. Također je konfigurisan kako bi se izbjeglo prepisivanje ćelija sa vrijednostima “0”. Pored toga, novi LPDDR5 čip će ponuditi ‘režim dubokog spavanja’, koji smanjuje potrošnju energije na otprilike pola ‘idle mode’ trenutnog LPDDR4X DRAM-a. Zahvaljujući ovim funkcijama niskog napona, 8Gb LPDDR5 DRAM će smanjiti potrošnju energije do 30 posto, maksimizirati performanse mobilnih uređaja i produžiti životni vijek pametnih telefona.

Koristeći najsavremeniju proizvodnu infrastrukturu na svojoj najnovijoj liniji u Pyeongtaeku u Koreji, Samsung planira da započne masovnu proizvodnju svojih DRAM linija slijedeće generacije (LPDDR5, DDR5 i GDDR6) u skladu s zahtjevima globalnih kupaca.